半導(dǎo)體設(shè)備零件中的氮化鋁陶瓷加熱盤，是依托氮化鋁（AlN）陶瓷材料優(yōu)異特性制成的核心溫控部件，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓制造的薄膜沉積、光刻、離子注入等關(guān)鍵工序，承擔(dān)精準控溫與均勻傳熱的重要功能。

    AIN 氮化鋁陶瓷加熱盤是精密制造領(lǐng)域的關(guān)鍵溫控部件，憑借氮化鋁材料的卓越性能廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子封裝等高端場景。其核心優(yōu)勢在于超高導(dǎo)熱性，導(dǎo)熱率達 170-230W/(m?K)，遠優(yōu)于傳統(tǒng)氧化鋁陶瓷，可實現(xiàn)快速升溫與均勻控溫，溫差精度控制在 &pl